フルスペル ： Ferroelectric Random Access Memory
別名 ： FRAM
分野 ： 半導体 > メモリ > RAM

　強誘電体を利用した不揮発メモリの一種。

　強誘電体とは、電圧を加えることによって物質内の自発分極(物質内に電気的な正負が生じる状態)の方向を自由に変化させ、電圧をかけなくてもその分極方向を持続させることのできる誘電体(分極により電荷を蓄え、直流電流を通さない物質)のことであり、これを記憶素子とする不揮発メモリがFeRAM である。

　FeRAMは構造などがDRAMに似ていて、フラッシュメモリの10倍以上に及ぶ高速な読み書きが可能である。また、信頼性の面においてもフラッシュメモリ、EEPROMに比べて格段に上と言われている。FeRAMは「FRAM」とも呼ばれるが、これはRamtron社の登録商標である。