オーバークロックガイドの決定版！の神和約6

Write CAS# Latency(tWCL)

Settings = Auto, 1-8

Lost Circuitsより引用： http://www.lostcircuits.com/
「Write CAS Latency (tWCL)の設定について：一般的なSDRAM（DDR Iを含む）は、その名前が表すとおりランダムアクセスを行います。これはメモリコントローラが物理的なメモリ空間に対して自由にあらゆる場所に対して書き込みを行うことを意味します。つまりたいていの場合、開いているページならどこでもかまわず、CAS信号に一番近い列アドレスの場所を選んで書き込むことになるでしょう。この結果、tCLが2、2.5、3などの値をとるのに対して、tWCLは1Tになります。ほとんどの場合tWCLは1Tに設定すべきです（DDR IIを使う場合はこの限りではありません）。」

安定性に対する影響：大、バンド幅に対する影響：不明

DFIの推奨設定：ほとんどの人はAutoや1に設定しているとレスしています。 RGoneがDFI-Streetで語ったところによれば、5という設定はあらゆるメーカー・サイズ・速度のメモリに対して有効に働いたと言うことです。私は1に設定することを推奨します。

DRAM Bank Interleave

Settings = Enable, Disable

Adrian Wongのサイトより引用：http://www.rojakpot.com/
「BIOSのこの機能はSDRAMインターフェイスのインターリーブモードを設定します。インターリーブを有効にするとリフレッシュやアクセスを行うごとにSDRAMのバンクが入れ替わります。一つのバンクがアクセスされる間に別のバンクがリフレッシュされます。これにより各々のバンクに対するリフレッシュにかかる時間を隠蔽することができますので、メモリのパフォーマンスを向上することになります。メモリのすべてのバンクのリフレッシュが交互に行われることにより、一種のパイプライン効果が生まれることが最近の調査により明らかになりました。しかしながら、インターリープは連続して要求されたアドレスが同じバンクに対してのものではない時にしか効果がありません。同じバンクに対してのものだった場合、あたかもインターリーブが無効になっているときのようにデータ処理が行われます。 CPUは、最初のデータ処理が終わり別のアドレスを送るためにバンクがリフレッシュされるのを待たねばならないでしょう。現在ではすべてのSDRAMモジュールがインターリーブをサポートしています。この機能は可能なら常に有効にしておくことを推奨します。」

バンド幅・安定性に対する影響：大

DFIの推奨設定：可能なら常に有効にすること。これはバンド幅改善に対してかなり影響する設定項目です。無効にすると安定性に寄与しますが、それに相関してバンド幅を下げることになるでしょう。（Enable = Faster）

DQS Skew Control

Settings = Auto, Increase Skew, Decrease Skew

Lost Circuitsより引用：http://www.lostcircuits.com/
「電圧変位を小さくするとより高い周波数を達成できるのは確かですが、あまりに高い周波数だと電圧の急激な変化により深刻なゆがみ（スキュー）が発生します。スキューはDrive Strengthを増加させることで低減できますが、立ち上がりと立ち下がりのエッジそれぞれに対してオーバーシュート・アンダーシュートを引き起こすことが欠点です。さらに問題なことに、高周波数信号ではいわゆる信号遅れの現象が生じます。 DDRでは単純な信号の形でクロックを追加することによりこれを解決します。 DDR IIではそれに加えて、信号の立ち上がり、立ち下がりにあわせてDQSと/DQSからなる双方向性で、かつ、ディファレンシャルな入出力バッファ信号を導入しています。ディファレンシャルとは、信号を零点と信号値の差で計測する代わりに、二つの信号を用いて互いに相手との差を計測する方式です。この理論によるとクロックの立ち上がりと立ち下がりは相手に対して完全に対称になっているはずですが、現実は違います。どうなるかというと、出力電圧の高・低それぞれの地点（VOHとVOL）においてスキューによる遅れが発生しますし、クロック進行に使用されるDQSと/DQSとの間の交差が必ずしもDQが零点（Vref）と交差するのと同時には起こらなかったり、それどころか、信号が常に1クロックずつずれることにもなります。この、クロックとデータ処理のタイミングのずれがDQ-DQSスキューと呼ばれているのです。」

バンド幅・安定性に対する影響：小

DFIの推奨設定：パフォーマンスを上げたいなら「Increase」、安定性重視ならば「Decrease」に設定するとよいでしょう。 Increase設定を推奨します。（Increase = Faster, Decrease = Slower）

DQS Skew Value

Settings = Auto, 0-255 in 1.0 increments.

これはDQS Skew Controlを有効にした場合に増減される値です。それほどシビアなタイミングが要求されるわけではありません。

バンド幅・安定性に対する影響：小

DFIの推奨設定：それほどシビアなタイミングは要求されません。「Increase Skew」設定とともに50-255の間の数値で試してみるとよいでしょう。（Higher = Faster）

DRAM Drive Strength

Settings = Auto, 1-8 in 1.0 increments.

Adrian Wongのサイトより引用：http://www.rojakpot.com/ 「Driving Strengthとも呼ばれます。この機能によりメモリのデータバスにおける信号の強さを制御できます。メモリバスのDrive Strengthを上げるとオーバークロック時の安定性が増します。 DRAM Drive Strengthはメモリのデータ線における信号の強さと関係しています。大きな値にするとより強い信号が使われることになり、オーバークロックモジュールの安定性を改善するためにおすすめです。他のモジュールではより強い信号が好まれるのに対して、TCCDモジュールは弱いDrive Strengthの方がよいという話もあります。」

bigtoeの投稿：「このオプションはAutoにした場合、弱いDrive Strengthが設定されます。これはTCCDモジュールには適していますが、その他の場合には避けるべきです。この掲示板での実験と検証から私は次のように結論づけました。 1、3、5、7、Autoの各オプションはすべて「弱」設定です。その中でも1は一番弱く、7はDFIが設定した標準の値に近いです。 2、4、6、8の各オプションは「標準」設定です。その中でも8は一番強い設定になります。 TCCDを使う場合は通常、3、5、7設定がオーバークロックに適しているようです。 VXや新型のBH Gold、その他OCZのモジュールを使う場合は8や6を試すとよいでしょう。」

安定性に対する影響：大

DFIの推奨設定（bigtoeの投稿）：TCCDを使う場合は通常、3、5、7設定がオーバークロックに適しているようです。 VXや新型のBH Gold、その他OCZのモジュールを使う場合は8や6を試すとよいでしょう。

DRAM Data Drive Strength

Settings = Levels 1-4 in 1.0 increments.

Adrian Wongのサイトより引用：http://www.rojakpot.com/
「DRAM Data Drive Strengthはメモリのデータ線における信号の強さを決定します。これは主に多くのDRAMを同時に使う場合（複数枚での使用や両面メモリなど）でのDIMMの耐性を上げるために使われます。そのため、このような場合には値を「Hi」や「High」に設定するべきです。このオプションはその性格から言ってメモリバスをオーバークロックするときの助けとなるでしょう。 DIMMが望み通りにオーバークロックできないときはメモリのデータ線における信号の強さを強めると、オーバークロック時の安定性を高めることができます。しかしこれはメモリバスをオーバークロックする確実な手段とは言えません。さらに、メモリバスの信号を強くしても、DIMM自体のパフォーマンスがよくなるわけではありません。そのため、DIMMをたくさん使ったりオーバークロック時の安定性を高めたいのでなければ、 DRAM Data Drive Strengthは「Lo」「Low」に設定する方がいいでしょう。」

安定性に対する影響：大

DFIの推奨設定：CPCを有効にした場合Level1かLevel3を使うことが推奨されています。 CPCを有効にするとLevel1より高い設定では非常に不安定になるという人もいます。また、CPCが有効でもLevel3がよいという人もいます。 CPCが無効な場合Level2-4に設定するとうまくいったという報告もありました。私自身はCPCを有効にして、さらにLevel4に設定するとうまく動きました。（Higher = Faster）

Max Async Latency

Settings = Auto, 0-15 in 1.0 increments.

私はこのオプションについて詳細な記述を見つけることができず、メモリのどの部分に影響を与えるかもわかりませんでした。もし何らかの情報をお持ちならば是非ここにレスしてください。後で更新しようと思います。

HiJon89の投稿：「Max Async Latencyの設定を変更するとEverestのLatencyテストにおいて大きな差が認められます。 BH-6使用時に設定を8nsから7nsに下げたところ、EverestのLatencyテストで1nsの差がありました。 7nsから6nsに下げるとさらに2nsの変化がありました。」

バンド幅・安定性に対する影響：小

DFIの推奨設定：7nsがデフォルトです。7nsから初めて5.0から10.0の間の値を試すとよいでしょう。 HiJon89の投稿：「6nsはかなりぎりぎりの設定です。UTTやBH-5を使う場合におすすめしますが、TCCDには適していません。 8nsはUTTやBH-5に対しては緩すぎる設定ですが、TCCDをDDR600設定で使う場合には適しています。 9nsはTCCDに対してさえ緩すぎますので、DDR640以上を目指す場合にのみ使うとよいでしょう。」（Lower = Faster）

Read Preamble Time

Settings = Auto, 2.0-9.5 nanoseconds, in 0.5 increments.

DFIのBIOSより引用：「BIOSのこの機能はmax-read DQS return（訳注：なんだこりゃ）の前に置かれる時間を決定します。これはDQS信号がONになるときに現れます。

Samsungの古いメモリガイドより引用：「読み込み時におけるDQSのプリアンブル： DDR SGRAMはデータストローブ信号（DQS）を使用してパフォーマンスを増加させています。 DQS信号には双方性があり、DDR SGRAMからグラフィックコントローラ、あるいは逆にグラフィックコントローラからDDR SGRAMへデータが受け渡されるときに使われます。読み込みデータが始まる前にDQS信号はHi-Z状態からロウレベルへ移行します。これがデータストローブプリアンブルと呼ばれるものです。仕様では、Hi-Z状態からロウレベルへの移行はデータの最初のエッジより1クロック前に起こることになっています。」

バンド幅・安定性に対する影響：小

DFIの推奨設定：Autoに設定するとデフォルトでは5.0nsになります。まず5.0より始め、4.0-7.0の間でRAMに応じてうまく動く設定を見つけるとよいでしょう。（Lower = Faster）

Idle Cycle Limit

Settings = Auto, 0-256 in varied increments.

DFIのBIOSより引用：「BIOSのこの機能は開いたページを無理矢理閉じる（プリチャージ時）前に置くクロックの数を指定します。」この設定はメモリページに対して調停が入ってもう一度強制的にプリチャージされる前に、読み込みを試行する最大回数を表しています。

バンド幅に対する影響：小、安定性に対する影響：大

DFIの推奨設定：Autoにすると256クロックに設定されますが、これはおそらく大きすぎるでしょう。あまり質のよくないRAMを使う場合はAutoのままがよいと思います。もし上等なRAMなら16-32クロックくらいがよいでしょう。私はBH-5を使うとき16クロックに設定するとうまく動きました。（Lower = Faster）

Dynamic Counter

Settings = Auto, Enable, Disable.

DFIのBIOSより引用：「BIOSのこの機能はDynamic Idle Cycle Counterを有効・無効にします。有効にすると、ページテーブルを使う場合にページコンフリクトとページミス（PC/PM）に起因するアイドル時間の上限を動的に調整するようになります。」このオプションはIdle Cycle Limitと直接関連するようです。有効にすると既存のIdle Cycle Limit設定を上書きし、それをコンフリクトに応じて動的に変更します。」

バンド幅・安定性に対する影響：小、だが場合によっては大

DFIの推奨設定：Autoに設定すると通常は無効になります。有効にするとパフォーマンスが上がり、無効では安定性が増します。この設定は非常に大きな差があります。私は他の設定をすませるまでこのオプションを有効にしておいたところ、マシンがいきなりクラッシュすることに気づきました。他の設定を調整しこのオプションを有効にできるようにしたところ、バンド幅に改善が見られることもわかりました。 AurhiniusはTCCDを使用した場合、このオプションを無効にすることでバンド幅が50単位も改善したと報告しています。このオプションはBIOSのバージョンと使うメモリの種類にかなり依存するタイプのものであるようです。（Enable = Faster = Maybe）

R/W Queue Bypass

Settings = Auto, 2x, 4x, 8x, 16x.

DFIのBIOSより引用：「BIOSのこの機能は、アービタが上書きされDCI（Device Control Interface）の読み込み・書き込みキューにおける一番古い命令が選択される前に、バイパスされることが可能な回数を決定します。」アービタがメモリページの読み込み・書き込みキューに影響することをのぞけばIdle Cycle limitに似た設定ですね。

バンド幅・安定性に対する影響：小

DFIの推奨設定：16xがデフォルトです。安定性に問題が生じた場合以外はこのままにしておくのがよいでしょう。もし不安定になったのならば8x、いやOCを極めるためには2xや4x設定をもおすすめします。（Larger = Faster----Smaller = More Stable）

Bypass Max

Settings = Auto, 0x-7x in 1.0 increments.

DFIのBIOSより引用：「BIOSのこの設定はアービタの選択が拒否される前にDCQ（Dependence Chain Que?）中の一番古いエントリが調停機構にバイパスされる回数を指定します。」私はこの設定を様々に検討した結果、メモリとCPU内のメモリコントローラとの間のリンクに関係すると結論づけました。もし他に情報をお持ちならば気軽にレスしてください。更新しようと思います。

バンド幅・安定性に対する影響：小

DFIの推奨設定：デフォルトは7xです。パフォーマンスと安定性を最大限に高めるために4x-7xの設定を推奨します。 0x-7xの中では7xが一番高いバンド幅を達成できますが一番無茶な設定でもあります。低レイテンシのDIMMは高レイテンシで使うなら7xが、高FSBで使うならば4x-6xが適しているでしょう。まず5xに設定し、安定性を見ながら7xまで上げていくことをおすすめします。

32 Byte Granulation

Settings = Auto, Disable (8burst), Enable (4burst).

DFIのBIOSより引用：「BIOSのこの設定は32バイトのアクセスにおいてデータバスのバンド幅を最適化するために選ばれるバースト転送の回数を指定します。」最高のパフォーマンスを得るためには無効にします（バースト転送が最大サイズで行われます）。

バンド幅に対する影響：小、安定性に対する影響：大

DFIの推奨設定：Autoに設定するとDisable (8burst)になり、これはほとんどの場合デフォルトの設定です。より高いバンド幅のためにはDisable (8burst)を試してみてください。もし安定性を重視するならEnable (4burst)がおすすめです。（Disable = Faster）
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