フルスペル ： Magnetoresistive Random Access Memory

　記憶素子に磁性体を用いた不揮発性メモリの一種。

　フラッシュメモリ、DRAMなど従来のメモリがメモリセル内の電子を用いて記録を行なっているのに対し、MRAMは記憶媒体にハードディスクなどと同じ磁性体を用いたメモリ技術である。原子数個程度の厚さの絶縁体薄膜を2層の磁性体薄膜で挟み、両側から加える磁化方向(磁石の磁力線の向き)を変化させることで抵抗値が変化する「TMR効果」を応用している。

　MRAMは、アドレスアクセスタイムが10ns台、サイクルタイムが20ns台とDRAMの5倍程度でSRAM並み高速な読み書きが可能である。また、フラッシュメモリの10分の1程度の低消費電力、高集積性が可能などの長所がある。

　このため、FeRAM(強誘電体メモリ)、OUM(カルコゲニド合金による相変化記録メモリ)とともに、SRAM(高速アクセス性)、DRAM(高集積性)、フラッシュメモリ(不揮発性)のすべての機能をカバーする「ユニバーサルメモリ」としての応用が期待されている。

　2001年2月にMotorola社の研究所が256Kbitの容量を持つMRAMチップを発表し、集積度向上に一定の目処がついたため、次世代のメモリ技術として期待が高まっている。

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