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タグ検索で次世代メモリー1件見つかりました。
PRAM【phase change RAM】
 米Intel Corp.,韓国Samsung Electronics Co., Ltd.,伊仏STMicroelectronics社。世界半導体ランキング上位の大手半導体メーカーが,フラッシュ・メモリーの後を継ぐ不揮発性メモリーとして,最有力視しているのが「PRAM(phase change RAM,相変化メモリー)」である。PRAM は,開発した米Ovonyx, Inc.にちなんでOUM(Ovonic Unified Memory)とも呼ばれる。  記憶素子には,GST(GeSbTe)を使う。この材
https://seesaawiki.jp/w/mizunobara/d/PRAM%a1%dapha... - 2007年02月17日更新



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