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シリコンウェハーまたはシリコンウェーハ (英語: silicon wafer) は、高純度な珪素（シリコン）のウェハーである。


珪素のインゴットを厚さ1mm程度に切断したものであり、インゴットの直径は150mm（6インチ）、200mm（8インチ）、300mm（12インチ）のものがMOSデバイス用には一般的に使用されるが、ダイオード等のチップサイズの小さなものには未だに100mm（4インチ）、125mm（5インチ）のものも使われている。

基本的にチップサイズの大きなMPUや大量に生産してコストを低減する必要のあるメモリ（DRAM、フラッシュメモリ）には大口径のウェーハが使用され、300mm化の進展も著しい。

集積回路 （IC/LSI）の製造に最も多く使用される。このウェーハにアクセプターやドナーとなる不純物導入や絶縁膜形成、配線形成をすることにより半導体素子を形成することができる。

半導体デバイス用シリコンウェーハとしては、鏡面加工したPolished Wafer（PW）が使われるが、その内容を細かく見るとPWの中でも結晶欠陥COP（Crystal Originated Particle）の密度によっていくつかの水準に分けられるほか、Epitaxial Wafer（エピウェーハ）、Anneal Wafer（アニールウェーハ）などいくつかのバリエーションがあり、コスト、特性を勘案してデバイス製造に用いられている。

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