最終更新:ID:L3rcT5J92Q 2012年03月14日(水) 12:32:18履歴
混載DRAMは、メインのASICやプロセッサと同じダイまたはパッケージに統合された、キャパシタベースのDRAMである。外部DRAMモジュールや、主にキャッシュとして使われるトランジスタベースのSRAMと対比される。
DRAMを混載することで、バス幅を広げ、処理速度を向上させることができる。DRAMはSRAMに比べて集積度が高いため、潜在的にはより大容量のメモリを使用可能である。しかし、製造工程の違いにより単一ダイへの統合は難しく、複数のダイを1チップに封入する必要があるため、コストを押し上げる要因となっている。最近では、1T-SRAMなどのように、標準CMOSプロセスを使ってeDRAMを製造することで、この問題を回避しつつある。
eDRAMは、ソニーのプレイステーション2、プレイステーション・ポータブル、任天堂のWii、ゲームキューブ、マイクロソフトのXbox 360を含む多くのゲーム機や、IBMのPOWER7などに使われている。
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DRAMを混載することで、バス幅を広げ、処理速度を向上させることができる。DRAMはSRAMに比べて集積度が高いため、潜在的にはより大容量のメモリを使用可能である。しかし、製造工程の違いにより単一ダイへの統合は難しく、複数のダイを1チップに封入する必要があるため、コストを押し上げる要因となっている。最近では、1T-SRAMなどのように、標準CMOSプロセスを使ってeDRAMを製造することで、この問題を回避しつつある。
eDRAMは、ソニーのプレイステーション2、プレイステーション・ポータブル、任天堂のWii、ゲームキューブ、マイクロソフトのXbox 360を含む多くのゲーム機や、IBMのPOWER7などに使われている。
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